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Thorlabs石英階躍折射率多模光纖
- 產(chǎn)品型號：
- 更新時間：2023-12-19
- 產(chǎn)品介紹：Thorlabs石英階躍折射率多模光纖Thorlabs制造的這類數(shù)值孔徑0.22、低羥基或高羥基硬包層石英多模光纖具有良好的性能和透射率，用于可見光到近紅外（400-2200 nm，用于低羥基）或紫外到近紅外（250-1200 nm，用于高羥基）。光纖具有雙包層設計（TECS在摻氟石英層上），改善了動力使用性能（尤其是在光纖彎折的時候）。
- 廠商性質：代理商
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產(chǎn)品介紹
| 品牌 | Thorlabs | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 | 應用領域 | 電子/電池 |
Thorlabs石英階躍折射率多模光纖
Thorlabs石英階躍折射率多模光纖特性
不同光譜范圍的低羥基和高羥基版本
低羥基版本用于400-2200 nm
高羥基版本用于250-1200 nma
硬包層石英多模光纖
TECS硬質摻氟聚合物/石英雙層包加強高動力使用和耐用性能
Thorlabs制造的這類數(shù)值孔徑0.22、低羥基或高羥基硬包層石英多模光纖具有良好的性能和透射率，用于可見光到近紅外(400-2200 nm，用于低羥基)或紫外到近紅外(250-1200 nm，用于高羥基)。光纖具有雙包層設計(TECS在摻氟石英層上)，改善了動力使用性能(尤其是在光纖彎折的時候)。它也可以增加光纖的強度，減小靜疲勞，且能在光纖剝除時提供保護。石英和TECS包層的強力粘合避免了滑層或脫管，提供更穩(wěn)定的終端。
此類光纖非常適合光譜分析、光遺傳學和醫(yī)學診斷等應用。當使用接頭或者插芯連接時TECS包層可用丙酮去除。請注意，在波長低于300 nm時可能發(fā)生負感效應。
我們庫存有基于0.22 NA多模光纖的多種光纖跳線配置。點擊下表中More [+]
鏈接查看庫存跳線選擇。也可以定制特殊跳線。點擊右邊Custom Fiber Patch Cables超鏈接獲取更多信息。
a. 在低于300 nm時會發(fā)生負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。
Silica Core | |
Wavelength | Refractive Index |
436 nm | 1.467287 |
589.3 nm | 1.458965 |
1020 nm | 1.450703 |
1550 nm | 1.444 |
Stock Patch Cables Available with these Fibers | |||
Item # | Fiber Used | Description | Length |
M25 | FG200LCC | SMA to SMA | 1, 2, or 5 m |
M200 | SMA to SMA, AR Coated for VIS or NIR | 2 m | |
MHP200 | SMA to SMA, High Power Design | 2 m | |
BF13L | SMA to SMA, 13 Fiber Bundle | 1 or 2 m | |
BF13H | FG200UCC | SMA to SMA, 13 Fiber Bundle | 1 or 2 m |
MHP365 | FG365LEC | SMA to SMA, High-Power Design | 2 m |
M37 | FG550LEC | SMA to SMA | 1 or 2 m |
M47 | FC/PC to SMA | 1 m | |
MHP550 | SMA to SMA, High-Power Design | 2 m | |
BF20L | SMA to SMA, 7 Fiber Bundle | 1 or 2 m | |
BF20H | FG550UEC | SMA to SMA, 7 Fiber Bundle | 1 or 2 m |
MHP910 | FG910LEC | SMA to SMA, High-Power Design | 2 m |
0.22 NA Multimode Fiber Selection Guide |
Standard Glass-Clad Silica Fiber |
TECS Double-Clad High-Power Fiber |
Solarization-Resistant UV Fiber |
Other Multimode Fiber Options |
規(guī)格
Item # | Wavelength | Hydroxyl | Core | Cladding | Coating | Buffer | Core/ | Coatinga | Buffer | Proof Test |
FG200UCC | 250 - 1200 nmb | High OH | 200 ± 8 µm | 240 ± 5 μm | 260 ± 6 μm | 400 ± 30 μm | Pure Silica / | TECS™ Hard | Tefzel | ≥100 kpsi |
FG200LCC | 400 - 2200 nm | Low OH | ||||||||
FG273UEC | 250 - 1200 nmb | High OH | 273 ± 10 µm | 300 ± 6 µm | 330 ± 10 µm | 400 ± 30 µm | ||||
FG273LEC | 400 - 2200 nm | Low OH | ||||||||
FG365UEC | 250 - 1200 nmb | High OH | 365 ± 14 μm | 400 ± 8 μm | 425 ± 10 μm | 730 ± 30 μm | ||||
FG365LEC | 400 - 2200 nm | Low OH | ||||||||
FG550UEC | 250 - 1200 nmb | High OH | 550 ± 19 μm | 600 ± 10 μm | 630 ± 10 μm | 1040 ± 30 μm | ||||
FG550LEC | 400 - 2200 nm | Low OH | ||||||||
FG910UEC | 250 - 1200 nmb | High OH | 910 ± 30 μm | 1000 ± 15 μm | 1035 ± 15 μm | 1400 ± 50 μm | ||||
FG910LEC | 400 - 2200 nm | Low OH |
該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，通過TECS包層與纖芯之間的折射率之差計算而來，而不是石英包層和TECS包層/第二包層的折射率之差。
在波長低于300 nm時會出現(xiàn)負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。
Item # | NA | Max Power Capability | Max Attenuation | Max Core | Bend Radius | Operating | Strip | Core Index | Cladding Index | ||
Pulseda | CWb | Short Term | Long Term | ||||||||
FG200UCC | 0.22 ± 0.02 | 1.0 MW | 0.2 kW | 10 dB/km | 5 μm | 12 mm | 24 mm | -60 to 125 °C | T12S18 | Proprietaryc | Proprietaryc |
FG200LCC | |||||||||||
FG273UEC | 1.87 MW | 0.37 kW | 6 µm | 16 mm | 32 mm | T14S18 | |||||
FG273LEC | |||||||||||
FG365UEC | 3.4 MW | 0.7 kW | 7 μm | 20 mm | 40 mm | T21S31 | |||||
FG365LEC | |||||||||||
FG550UEC | 7.6 MW | 1.5 kW | 9 μm | 30 mm | 60 mm | T28S46 | |||||
FG550LEC | |||||||||||
FG910UEC | 25.1 MW | 5.0 kW | 10 μm | 50 mm | 100 mm | M44S67 | |||||
FG910LEC | |||||||||||
基于1064 nmNd：YAG激光器的5GW/cm2，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
基于1064 nmNd：YAG激光器的1MW/cm2，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
我們不能提供這種專有數(shù)據(jù)，敬請諒解。
多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定，一般要遠大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果，Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大，降低了光纖端面的功率密度，因此，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級)可以無損傷地耦合到多模光纖中。
Estimated Optical Power Densities on Air / Glass Interfacea | ||
Type | Theoretical Damage Thresholdb | Practical Safe Levelc |
CW(Average Power) | ~1 MW/cm2 | ~250 kW/cm2 |
10 ns Pulsed(Peak Power) | ~5 GW/cm2 | ~1 GW/cm2 |
所有值針對無終端(裸露)的石英光纖，適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。
這是可以入射到光纖端面且沒有損傷風險的大功率密度估算值。用戶在高功率下工作前，必須驗證系統(tǒng)中光纖元件的性能與可靠性，因其與系統(tǒng)有著緊密的關系。
這是在大多數(shù)工作條件下，入射到光纖端面且不會損傷光纖的安全功率密度估算值。
插芯/接頭終端相關的損傷機制
有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過環(huán)氧樹脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過接頭耦合到光纖時，沒有進入纖芯并在光纖中傳播的光會散射到光纖的外層，再進入插芯中，而環(huán)氧樹脂用來將光纖固定在插芯中。如果光足夠強，就可以熔化環(huán)氧樹脂，使其氣化，并在接頭表面留下殘渣。這樣，光纖端面就出現(xiàn)了局部吸收點，造成耦合效率降低，散射增加，進而出現(xiàn)損傷。
與環(huán)氧樹脂相關的損傷取決于波長，出于以下幾個原因。一般而言，短波長的光比長波長的光散射更強。由于短波長單模光纖的MFD較小，且產(chǎn)生更多的散射光，則耦合時的偏移也更大。
為了大程度地減小熔化環(huán)氧樹脂的風險，可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構建無環(huán)氧樹脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設計特點的接頭。
曲線圖展現(xiàn)了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關損傷機制的低功率水平限制(由實線表示)。
多模光纖，纖芯Ø200 µm，TECS包層
Item # | Wavelength | Hydroxyl | Core | Cladding | Coating | Buffer | Core/ | Coatinga | Proof Test |
FG200UCC | 250 - 1200 nmb | High-OH | 200 ± 8 µm | 240 ± 5 µm | 260 ± 6 µm | 400 ± 30 µm | Pure Silica / | TECS Hard | ≥100 kpsi |
FG200LCC | 400 - 2200 nm | Low-OH |
Item # | NA | Max Power Capability | Max Attenuation | Max Core | Bend Radius | Operating | Strip | Core Index | Cladding Index | |||
Pulsedc | CWd | Short Term | Long Term | |||||||||
FG200UCC | 0.22 ± 0.02 | 1.0 MW | 0.2 kW | 10 dB/km | 5 µm | 12 mm | 24 mm | -60 to 125 °C | T12S18e | Proprietaryf | Proprietaryf | |
FG200LCC | ||||||||||||
a. 該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，通過TECS涂層與纖芯之間的折射率差計算的，而不是石英包層與TECS涂層/第二包層的折射率差。
b. 在低于300 nm的波長下可能出現(xiàn)負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。
c. 基于1064納米Nd：YAG激光器的5 GW/cm2，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
d. 基于1064納米Nd：YAG激光器的1MW/cm2，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
e. 該工具可以剝除光纖的緩沖層，從而對內部包層進行端接。
f. 我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)，敬請諒解。
產(chǎn)品型號 | 公英制通用 |
FG200UCC | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø200 µm，高羥基，用于250 - 1200 nm，TECS雙包層 |
FG200LCC | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø200 µm，低羥基，用于400 - 2200 nm，TECS雙包層 |
多模光纖，纖芯Ø273 µm，TECS包層
Item # | Wavelength | Hydroxyl | Core | Cladding | Coating | Buffer | Core/ | Coatinga | Proof Test |
FG273UEC | 250 - 1200 nmb | High OH | 273 ± 10 µm | 300 ± 6 µm | 330 ± 10 µm | 400 ± 30 µm | Pure Silica / | TECS Hard | Tefzel |
FG273LEC | 400 - 2200 nm | Low OH |
Item # | NA | Max Power Capability | Max Attenuation | Max Core | Bend Radius | Operating | Strip | Core Index | Cladding Index | |||
Pulsedc | CWd | Short Term | Long Term | |||||||||
FG200UCC | 0.22 ± 0.02 | 1.87 MW | 0.37 kW | 10 dB/km | 6 µm | 16 mm | 32 mm | -60 to 125 °C | T14S18e | Proprietaryf | Proprietaryf | |
FG273LEC | ||||||||||||
a. 該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，通過TECS涂層與纖芯之間的折射率差計算的，而不是石英包層與TECS涂層/第二包層的折射率差。
b. 在低于300 nm的波長下可能出現(xiàn)負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。
c. 基于1064 nm Nd：YAG激光器的5GW/cm2 ，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
d. 基于1064 nm Nd：YAG激光器的1MW/cm2，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
e. 該工具可以剝除光纖的緩沖層，從而對內部包層進行端接。
f. 我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)，敬請諒解。
產(chǎn)品型號 | 公英制通用 |
FG273UEC | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø273 µm，高羥基，用于250 - 1200 nm，TECS雙包層 |
FG273LEC | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø273 µm，低羥基，用于400 - 2200 nm，TECS雙包層 |
多模光纖，纖芯Ø365 µm，TECS包層
Item # | Wavelength | Hydroxyl | Core | Cladding | Coating | Buffer | Core/ | Coatinga | Proof Test |
FG365UEC | 250 - 1200 nmb | High-OH | 365 ± 14 µm | 400 ± 8 µm | 425 ± 10 µm | 730 ± 30 µm | Pure Silica / | TECS Hard | ≥100 kpsi |
FG365LEC | 400 - 2200 nm | Low-OH |
Item # | NA | Max Power Capability | Max Attenuation | Max Core | Bend Radius | Operating | Strip | Core Index | Cladding Index | |||
Pulsedc | CWd | Short Term | Long Term | |||||||||
FG365UEC | 0.22 ± 0.02 | 3.4 MW | 0.7 kW | 10 dB/km | 7 µm | 20 mm | 40 mm | -60 to 125 °C | T21S31e | Proprietaryf | Proprietaryf | |
FG365LEC | ||||||||||||
a. 該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，通過TECS涂層與纖芯之間的折射率差計算的，而不是石英包層與TECS涂層/第二包層的折射率差。
b. 在低于300 nm的波長下會出現(xiàn)負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。
c. 基于1064納米Nd：YAG激光器的5 GW/cm2，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
d. 基于1064納米Nd：YAG激光器的1 MW/cm2，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
e. 該工具會剝除光纖的緩沖層，從而對內部包層進行端接。
f. 我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)，敬請諒解。
產(chǎn)品型號 | 公英制通用 |
FG365UEC | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø365 µm，高羥基，用于250 - 1200 nm，TECS雙包層 |
FG365LEC | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø365 µm，低羥基，用于400 - 2200 nm，TECS雙包層 |
多模光纖，纖芯Ø550 µm，TECS包層
Item # | Wavelength | Hydroxyl | Core | Cladding | Coating | Buffer | Core/ | Coatinga | Proof Test |
FG550UEC | 250 - 1200 nmb | High-OH | 550 ± 19 µm | 600 ± 10 µm | 630 ± 10 µm | 1040 ± 30 µm | Pure Silica / | TECS Hard | ≥100 kpsi |
FG550LEC | 400 - 2200 nm | Low-OH |
Item # | NA | Max Power Capability | Max Attenuation | Max Core | Bend Radius | Operating | Strip | Core Index | Cladding Index | |||
Pulsedc | CWd | Short Term | Long Term | |||||||||
FG550UEC | 0.22 ± 0.02 | 7.6 MW | 1.5 kW | 10 dB/km | 9 µm | 30 mm | 60 mm | -60 to 125 °C | T28S46e | Proprietaryf | Proprietaryf | |
FG550LEC | ||||||||||||
a. 該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，通過TECS涂層與纖芯之間的折射率差計算的，而不是石英包層與TECS涂層/第二包層的折射率差。
b. 在低于300 nm的波長下會發(fā)生負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。
c. 基于1064納米Nd：YAG激光器的5 GW/cm2，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
d. 基于1064納米Nd：YAG激光器的1MW/cm2，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
e. 該工具會剝除光纖的緩沖層，從而對內部包層進行端接。
f. 我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)，敬請諒解。
產(chǎn)品型號 | 公英制通用 |
FG550UEC | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø550 µm，高羥基，用于250 - 1200 nm，TECS雙包層 |
FG550LEC | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø550 µm，低羥基，用于400 - 2200 nm，TECS雙包層 |
多模光纖，纖芯Ø910 µm，TECS包層
Item # | Wavelength | Hydroxyl | Core | Cladding | Coating | Buffer | Core/ | Coatinga | Proof Test |
FG910UEC | 250 - 1200 nmb | High-OH | 910 ± 30 µm | 1000 ± 15 µm | 1035 ± 15 µm | 1400 ± 50 µm | Pure Silica / | TECS Hard | ≥100 kpsi |
FG910LEC | 400 - 2200 nm | Low-OH |
Item # | NA | Max Power Capability | Max Attenuation | Max Core | Bend Radius | Operating | Strip | Core Index | Cladding Index | |||
Pulsedc | CWd | Short Term | Long Term | |||||||||
FG910UEC | 0.22 ± 0.02 | 25.1 MW | 5.0 kW | 10 dB/km | 10 µm | 50 mm | 100 mm | -60 to 125 °C | M44S67e | Proprietaryf | Proprietaryf | |
FG910LEC | ||||||||||||
a. 該涂層用作第二包層，數(shù)值孔徑為0.39，它是由TECS涂層與纖芯之間的折射率差計算的，而不是石英包層與TECS涂層/第二包層的折射率差。
b. 在波長低于300 nm時會出現(xiàn)負感現(xiàn)象。我們也提供抗負感多模光纖。
c. 基于1064納米Nd：YAG激光器的5 GW/cm2，10納秒脈沖寬度，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
d. 基于1064納米Nd：YAG激光器的1 MW/cm2，輸入光斑大小是纖芯直徑的80%。
e. 該工具會剝除光纖的緩沖層，從而對內部包層進行端接。
f. 我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)，敬請諒解。
產(chǎn)品型號 | 公英制通用 |
FG910UEC | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø910 µm，高羥基，用于250 - 1200 nm，TECS雙包層 |
FG910LEC | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.22，纖芯Ø910 µm，低羥基，用于400 - 2200 nm，TECS雙包層 |
